重庆事业单位《综应C类》模拟题：论证评价题（3.20）

阅读给定材料，指出其中存在的3处论证错误并分别说明理由。每一条不超过150字。

【材料】

另一方面，铜等传统金属一旦薄于50纳米，导电能力会变得更差。研究人员发现，即使在室温下工作，磷化铌在薄膜厚度低于5纳米时，导电性也比铜更好。在这种尺寸下，铜线难以跟上快速发射的电信号，并耗散更多的热能。因此，磷化铌能够完全替代铜等传统金属在纳米电子领域的应用。

此前，研究人员一直在寻找可用于纳米电子领域的导电材料，但到目前为止，最好的候选材料都有极其精确的晶体结构，而且要在非常高温度下才能形成。此次研究制造的磷化铌薄膜，有望成为更理想的导体，也为探索利用其他拓扑半金属制造超薄电路铺平了道路。

研究显示，磷化铌薄膜可在相对较低温度下形成。在400℃下，研究人员可将磷化铌沉积为薄膜，这一温度可避免损坏或破坏现有的硅计算机芯片。换句话说，薄膜材料可以在较低温度下形成，能与现有芯片材料“和平共处”。

研究人员指出，磷化铌薄膜并不会快速取代所有计算机芯片中的铜，在制造较厚线路和电线时，铜仍然是更好的选择，而磷化铌更适用于最薄处的连接。因此我们可以在计算机芯片中进行小规模的材料更新，将铜用于最薄处的连接，以制造性能更高和更节能的纳米级电子产品。

【参考答案】

1.第一段由“在这种尺寸下，铜线难以跟上快速发射的电信号，并耗散更多的热能”推出“磷化铌能够完全替代铜等传统金属在纳米电子领域的应用”存在论证错误。因为论点表达过于绝对，论据表明磷化铌相比较与铜等传统金属材料具有的优势，可能会替代铜等传统金属在纳米电子领域的应用，推不出结论，属于绝对化表述。

2.第三段由“在400℃下，研究人员可将磷化铌沉积为薄膜，这一温度可避免损坏或破坏现有的硅计算机芯片”推出“薄膜材料可以在较低温度下形成，能与现有芯片材料和平共处”存在论证错误。因为“磷化铌薄膜”和“薄膜材料”两者概念不同，不能简单等同，属于偷换概念。

3.第四段由“铜仍然是更好的选择，而磷化铌更适用于最薄处的连接”推出“我们可以在计算机芯片中进行小规模的材料更新，将铜用于最薄处的连接，以制造性能更高和更节能的纳米级电子产品”存在论证错误。因为论据表明在计算机芯片中进行小规模的材料更新将磷化铌用于最薄处的连接，论据论点相互冲突，属于自相矛盾。