重庆事业单位《综应C类》模拟题：论证评价题（3.19）

阅读给定材料，指出其中存在的3处论证错误并分别说明理由。请在答题卡上按序号分条作答，每一条不超过150字。

【材料】

据发表在《科学》杂志上的一项最新研究，美国斯坦福大学研究人员首次发现一种非晶体材料磷化铌，在制造芯片上的超薄线路时，只有几个原子厚的磷化铌薄膜导电能力比铜更好。此外，这种薄膜可在较低温度下沉积生产，与现代计算机芯片相兼容，这种新材料在未来的纳米电子学领域应用后能够带来功能更强、更节能的电子产品。因此，它帮助解决当前电子产品中的电力和能耗问题。

随着计算机芯片越来越小、越来越复杂，在芯片中传输电信号的超薄金属线已成为一个薄弱环节。由于超薄金属线限制纳米级电子产品的尺寸、效率和性能，所以线路更细更薄，标准金属线的导电能力会变差。

而新型导体磷化铌是拓扑半金属，其整个材料都可导电，但外表面比中间导电性更好。随着磷化铌薄膜变薄，中间部分收缩，但其表面积不变甚至更大，使得整个材料导电能力变弱。另一方面，铜等传统金属一旦薄于50纳米，导电能力会变得更差。研究人员发现，即使在室温下工作，磷化铌在薄膜厚度低于5纳米时，导电性也比铜更好。在这种尺寸下，铜线难以跟上快速发射的电信号，并耗散更多的热能。

【参考答案】

1.第1段由“磷化铌薄膜导电能力比铜更好以及可在较低温度下沉积生产，与现代计算机芯片相兼容”推出“其在纳米电子学领域能够带来功能强且节能的电子产品，解决电力能耗问题”存在论证错误。因为磷化铌在纳米电子学领域成功应用以及解决电子产品中电力能耗问题是真实性尚待证明的判断，推不出结论，属于预期理由。

2.第2段由“超薄金属线限制纳米级电子产品的尺寸、效率和性能”推出“线路更细更薄，标准金属线的导电能力会变差”存在论证错误。因为“线路更细更薄，标准金属线的导电能力会变差”是因，“超薄金属线限制纳米级电子产品的尺寸、效率和性能”是果，论证倒因为果，属于因果倒置。

3.第3段由“随着磷化铌薄膜变薄，中间部分收缩，但其表面积不变甚至更大”推出“整个材料导电能力变弱”存在论证错误。因为论据表明磷化铌外表面比中间导电性更好，随着磷化铌薄膜变薄中间部分收缩以及其表面积不变甚至更大会导致材料有更好的导电能力，而论据论点相互冲突，属于自相矛盾。